Abstract:
إن هـذا البحث يهدف إلى دراسة تأثير الأشعة السينية على خصائص الترانزستورNPN(129) .) وما يحدث له من تغير من اجل استخدامهـا في التكنولوجيا ككاشف للأشعة السينــية .تم تسليط الأشعة سينية (X-RAY) بفرق جهد مقداره ( 35V ) وبتيار (1mA) على الترانزستور الموصل في دائرة كهربية كمضخـم للتيــار لفترات زمنية متتالية (5,10,15,20,25,30,35,40,45,50 ) عند ثبوت قيمة تيار القـــاعدةIB تم قيــاس جهـد القــاعــدة B)) ، جهــد الباعث المجمــــــع( (VCEوتيار المجمع . وأيضا تم حساب قيمة العامل (βDC) وقيمة الموصلية الكهربية(gm ) والمانعة الكهربية (Z) .لوحظ انخفاض إن هناك انخفاض في القيم المذكورة اعلاه مع أزمان مختلفة من التشعيع .
تأتي أهمية هذا الدراسة إن الأشعة السينية أشعة ضارة مالم يتم الكشف عنها لذلك تم استخدام الترانزستور في دائرة كمضخم للتيار ليتم بواسطته استشعار الإشعاع .
كذلك تم التوجيه في هذه الدراسة أن تؤخذ القراءات عن تطبيق جرعات مختلفة من الأشعة السينية وذلك عند توفر الظروف الملائمة.
