Study the Effect of X-Ray on  Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN 129

Asia Ibrahim Arbab Abdalla

DSpace Home
→
مستودع الأصول الرقمية لأطروحات ورسائل الجامعة
→
كلية العلوم البحتة والتطبيقية
→
أطروحات الماجستير
→
View Item

dc.contributor.author	Asia Ibrahim Arbab Abdalla
dc.date.accessioned	2018-12-17T06:20:01Z
dc.date.available	2018-12-17T06:20:01Z
dc.date.issued	2017
dc.identifier.citation	University of Africa International - Deanship of Graduate Studies - Faculty of Pure and Applied Sciences	en_US
dc.identifier.uri	http://dspace.iua.edu.sd/handle/123456789/3929
dc.description.abstract	إن هـذا البحث يهدف إلى دراسة تأثير الأشعة السينية على خصائص الترانزستورNPN(129) .) وما يحدث له من تغير من اجل استخدامهـا في التكنولوجيا ككاشف للأشعة السينــية .تم تسليط الأشعة سينية (X-RAY) بفرق جهد مقداره ( 35V ) وبتيار (1mA) على الترانزستور الموصل في دائرة كهربية كمضخـم للتيــار لفترات زمنية متتالية (5,10,15,20,25,30,35,40,45,50 ) عند ثبوت قيمة تيار القـــاعدةIB تم قيــاس جهـد القــاعــدة B)) ، جهــد الباعث المجمــــــع( (VCEوتيار المجمع . وأيضا تم حساب قيمة العامل (βDC) وقيمة الموصلية الكهربية(gm ) والمانعة الكهربية (Z) .لوحظ انخفاض إن هناك انخفاض في القيم المذكورة اعلاه مع أزمان مختلفة من التشعيع . تأتي أهمية هذا الدراسة إن الأشعة السينية أشعة ضارة مالم يتم الكشف عنها لذلك تم استخدام الترانزستور في دائرة كمضخم للتيار ليتم بواسطته استشعار الإشعاع . كذلك تم التوجيه في هذه الدراسة أن تؤخذ القراءات عن تطبيق جرعات مختلفة من الأشعة السينية وذلك عند توفر الظروف الملائمة.	en_US
dc.language.iso	en_US	en_US
dc.subject	Medical Physics	en_US
dc.title	Study the Effect of X-Ray on Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN 129	en_US
dc.type	Thesis	en_US