Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.iua.edu.sd/handle/123456789/3929
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorAsia Ibrahim Arbab Abdalla-
dc.date.accessioned2018-12-17T06:20:01Z-
dc.date.available2018-12-17T06:20:01Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationUniversity of Africa International - Deanship of Graduate Studies - Faculty of Pure and Applied Sciencesen_US
dc.identifier.urihttp://dspace.iua.edu.sd/handle/123456789/3929-
dc.description.abstractإن هـذا البحث يهدف إلى دراسة تأثير الأشعة السينية على خصائص الترانزستورNPN(129) .) وما يحدث له من تغير من اجل استخدامهـا في التكنولوجيا ككاشف للأشعة السينــية .تم تسليط الأشعة سينية (X-RAY) بفرق جهد مقداره ( 35V ) وبتيار (1mA) على الترانزستور الموصل في دائرة كهربية كمضخـم للتيــار لفترات زمنية متتالية (5,10,15,20,25,30,35,40,45,50 ) عند ثبوت قيمة تيار القـــاعدةIB تم قيــاس جهـد القــاعــدة B)) ، جهــد الباعث المجمــــــع( (VCEوتيار المجمع . وأيضا تم حساب قيمة العامل (βDC) وقيمة الموصلية الكهربية(gm ) والمانعة الكهربية (Z) .لوحظ انخفاض إن هناك انخفاض في القيم المذكورة اعلاه مع أزمان مختلفة من التشعيع . تأتي أهمية هذا الدراسة إن الأشعة السينية أشعة ضارة مالم يتم الكشف عنها لذلك تم استخدام الترانزستور في دائرة كمضخم للتيار ليتم بواسطته استشعار الإشعاع . كذلك تم التوجيه في هذه الدراسة أن تؤخذ القراءات عن تطبيق جرعات مختلفة من الأشعة السينية وذلك عند توفر الظروف الملائمة.en_US
dc.language.isoen_USen_US
dc.subjectMedical Physicsen_US
dc.titleStudy the Effect of X-Ray on Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN 129en_US
dc.typeThesisen_US
Appears in Collections:أطروحات الماجستير

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Itroducion.pdf1.52 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
البحث كامل.pdf
  Restricted Access
2.2 MBAdobe PDFView/Open Request a copy


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.