المستودع الرقمي جامعة افريقيا العالمية
تسعى عمادة المكتبات بالجامعة لتقديم خدمة الوصول للإنتاج العلمي لأغراض التعليم والبحث العلمي ولمواكبة الاتجاهات الدولية في الوصول الحر للمعلومات حيث تقاس قدرة المؤسسة على ما توفره من معلومات علمية متاحة على شبكة الانترنت
موقع الجامعة
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://dspace.iua.edu.sd/handle/123456789/3929| Title: | Study the Effect of X-Ray on Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN 129 |
| Authors: | Asia Ibrahim Arbab Abdalla |
| Keywords: | Medical Physics |
| Issue Date: | 2017 |
| Citation: | University of Africa International - Deanship of Graduate Studies - Faculty of Pure and Applied Sciences |
| Abstract: | إن هـذا البحث يهدف إلى دراسة تأثير الأشعة السينية على خصائص الترانزستورNPN(129) .) وما يحدث له من تغير من اجل استخدامهـا في التكنولوجيا ككاشف للأشعة السينــية .تم تسليط الأشعة سينية (X-RAY) بفرق جهد مقداره ( 35V ) وبتيار (1mA) على الترانزستور الموصل في دائرة كهربية كمضخـم للتيــار لفترات زمنية متتالية (5,10,15,20,25,30,35,40,45,50 ) عند ثبوت قيمة تيار القـــاعدةIB تم قيــاس جهـد القــاعــدة B)) ، جهــد الباعث المجمــــــع( (VCEوتيار المجمع . وأيضا تم حساب قيمة العامل (βDC) وقيمة الموصلية الكهربية(gm ) والمانعة الكهربية (Z) .لوحظ انخفاض إن هناك انخفاض في القيم المذكورة اعلاه مع أزمان مختلفة من التشعيع . تأتي أهمية هذا الدراسة إن الأشعة السينية أشعة ضارة مالم يتم الكشف عنها لذلك تم استخدام الترانزستور في دائرة كمضخم للتيار ليتم بواسطته استشعار الإشعاع . كذلك تم التوجيه في هذه الدراسة أن تؤخذ القراءات عن تطبيق جرعات مختلفة من الأشعة السينية وذلك عند توفر الظروف الملائمة. |
| URI: | http://dspace.iua.edu.sd/handle/123456789/3929 |
| Appears in Collections: | أطروحات الماجستير |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Itroducion.pdf | 1.52 MB | Adobe PDF |  View/Open | |
| البحث كامل.pdf Restricted Access | 2.2 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.